三星重金在韩建六代V-NAND闪存生产线

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当地时间6月1日，三星电子宣布，将扩大其在韩国平泽市（Pyeongtaek）NAND闪存芯片生产能力，该生产线距离韩国首都首尔有两个小时的车程。

                               
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据路透社报道，三星电子已经在上个月开始建设这条新的NAND闪存芯片生产线，并计划在2021年下半年大规模生产最先进的100层以上3D-NAND（第六代V-NAND）产品，月产能预计2万片。

                               
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三星日前规画在韩国平泽新建工厂。（图自：三星）


三星断定5G、在家办公将促进NAND Flash销售

从进入21世纪以来，三星就一直是存储芯片行业的领导者，近期三星又实现了新的技术突破，业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时，芯片密度更高，制造难度也更高。
三星此举是押注未来对个人计算机和服务器的需求，因为新冠病毒促使更多人在家工作。他们还表示，此次的投资旨在应对人工智能、物联网等引领的第四次工业革命，而且5G的普及也将会对于NAND闪存有极大的需求量，尽管最近由于疫情其推迟了在欧洲和其他国家部署5G网络的步伐。
韩国贸易部周一公告显示，由于在家工作趋势和在线课程推动了对服务器和个人电脑的需求，韩国5月份的芯片出口较上年同期增长7.1％，与此同时，中国个人电脑制造商恢复了生产，也推高了芯片价格。
DB Financial Investment分析师Eo Kyu-jin表示：“数据服务器客户可能会继续投资以增强其基础架构，以满足客户增加的在线活动带来的需求。”
三星电子存储全球营销副总裁 Cheol Choi 表示：“这次投资，再次证明了我们在存储技术领域所拥有的无可争辩的领导地位。即使在不确定的时刻，我们依然会继续为市场提供最佳的内存及闪存解决方案，同时为整个 IT 行业和经济增长做出贡献。”


5nm产线之后的又一大手笔投资

三星方面没有透露具体投资金额。分析师预计，投资范围将在7万亿韩元（约合57亿美元）至8万亿韩元（约合65亿美元）之间。而据韩国时报（Korea Times）报导，将花费8.5万亿韩元（约合69亿美元）。
在上月，三星电子已经在平泽投10万亿韩元扩建生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm及以下工艺，而随着新产线建设，预计到明年下半年三星将会开始量产5nm芯片，月产能看上1万片。
算起来，三星在韩国本土已经拥有7条芯片制造产线，其中仅在平泽工业园区中，就有世界上两条最庞大的闪存及内存芯片生产线。除了这条最新的V-NAND生产线，另一条扩产计划是P2厂生产1z/1a纳米及拥有EUV工艺的DRAM产线，月产预计能2-3万片，投资金额将达15万亿韩元。

                               
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三星存储芯片生产基地分布（数据自中国闪存市场）

此外，三星还将在中国西安工厂增设第二条生产线，用于投产100层以下3D NAND（第五代V-NAND），该生产线计划于明年上半年投产。
在去年4月份，三星曾经提出过“半导体愿景2030”，他们计划在2030年对于系统芯片的研发和生产技术领域投资133万亿韩元(约合人民币7658亿元)。

                               
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三星V-NAND量产时间线（图自：三星官网）

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