三星发现非晶态氮化硼(a-BN)，将加速下一代半导体材料问世

shuszhao · 发表于 2020-7-8 08:24:21

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？立即注册

×

7月6日，据三星电子官方新闻，三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料。此项研究已发表在《自然》杂志上，研究团队相信该材料有望加速下一代半导体材料的问世。

登录/注册后可看大图

截图自Samsung Newsroom

三星表示，SAIT最近一直在研究和开发二维(2D)材料——只有一层原子的晶体材料。具体来说，研究所一直致力于石墨烯的研究与开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，如开发了一种新型石墨烯晶体管，以及一种生产大面积单晶片级石墨烯的新方法。除了研究和开发石墨烯，SAIT一直致力于加速这种材料的商业化。

登录/注册后可看大图

图自：Samsung Newsroom
该报道称，这种新发现的材料被称为非晶态氮化硼(a-BN)，由硼和氮原子组成，为非晶态结构。非晶态氮化硼是由白色石墨烯衍生而来，其中硼原子和氮原子排列成六边形结构，而a-BN的分子结构实际上使其与白色石墨烯有独特之处。
SAIT石墨烯项目负责人、首席研究员Shin Hyeon-jin说:“为了增强石墨烯与硅基半导体工艺的兼容性，半导体衬底上的晶片级石墨烯生长应在低于400摄氏度的温度下进行。我们也在不断努力将石墨烯的应用扩展到半导体之外。”
无定形氮化硼具有一流的超低介电常数——1.78，具有较强的电气和机械性能，可作为互连隔离材料，以减少电干扰。也证明了这种材料可以在400摄氏度的低温下在晶圆片上生长。因此，非晶态氮化硼有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案等半导体，特别是用于大规模服务器的下一代内存解决方案。
对此，SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人Park Seong-jun表示，“最近，人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣越来越大。然而，在现有的半导体工艺中应用该材料仍存在许多挑战。我们将继续开发新材料，引领半导体领域的转变。”
近些年来SAIT在新型半导体材料上的研究成果：
2012年：石墨烯压敏电阻器，一种具有栅极控制肖特基势垒的三极管器件（SAIT，《科学》杂志出版）

2014年：可重复使用的终止氢锗上单晶单层石墨烯的晶圆级生长（SAIT和成均馆大学，《科学》杂志出版）

2017年：实现Zachariasen连续碳单层膜（SAIT和成均馆大学，发表于《科学进展》上）

2020年：超低介电常数非晶态氮化硼（SAIT，UNIST和剑桥大学，发表在《自然》杂志上）

公孙御阳 · 发表于 2020-7-8 08:27:07

学海无涯 · 发表于 2020-7-8 08:38:15

这个厉害了。

william_d_87 · 发表于 2020-7-8 08:41:57

13713603579 · 发表于 2020-7-8 08:47:09

wangyitu · 发表于 2020-7-8 08:50:03

三丧发展还是快啊~

zengfanlong · 发表于 2020-7-8 08:50:15

heming2216 · 发表于 2020-7-8 08:55:23

lqsgg · 发表于 2020-7-8 08:55:49

热带雨林 · 发表于 2020-7-8 08:57:46

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

[零组件/半导体] 三星发现非晶态氮化硼(a-BN)，将加速下一代半导体材料问世

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区

终身成就奖

特殊贡献奖

原创先锋奖

金点子奖

优秀斑竹奖

宣传大使奖

社区居民

社区劳模