创意电子芯粒间 (D2D) 整体解决方案开启旗舰级SoC的新时代

shuszhao

2020年11月17日台湾新竹–先进ASIC领导者创意电子（GUC）今天发布其成功演示了硅验证的GLink接口，该接口使用台积电 7纳米工艺和InFO_oS先进的封装技术，为人工智能、高性能计算和网络等应用做多芯片集成，实现系统扩展。
采用基于InFO_oS的GLink是因为InFO_oS具有模块化、可扩展和高良率多芯片ASIC的成本效益。而基于CoWoS上的GLink被客户采用，则是用于带有HBM内存的多芯片ASIC。高吞吐量互连GLink的小面积/低功耗特性，使高效的多芯片InFO_oS和高达2500平方毫米的CoWoS解决方案成为可能。
实验证明，每1毫米的边界线，全双工通信量为0.7 Tbps，仅消耗0.25 pJ /bit（每1Tbps的全双工通信量为0.25瓦特），且芯片之间的通信无差错。在所有工艺-电压-温度条件下，测试结果与设计前仿真数据完全一致，早期采用的客户已得到详细的测试报告。

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GLink IP的功耗比通过封装基板进行超短距离SerDes通信的替代解决方案低6到10倍。对于每10 Tbps的全双工通信量，它的功耗比其他基于SerDes的接口少15到20瓦特。GLink IP占用的硅面积仅需1/3，它同时支持InFO_oS和CoWoS 芯粒集成平台。
下一代GLink IP支持每1毫米边界线1.3 Tbps的无差错全双工通信量，具有相同的0.25 pJ/bit功耗，已可提供客户在台积电5纳米工艺上使用。未来的GLink IP使用台积电5纳米和3纳米工艺，支持2.7Tbps/毫米无差错全双工通信量，功耗同样为0.25pJ/bit，将于2021推出。每条边界线有如此低的功耗/面积和高效率的流量，使GLink IP成为人工智能、高性能计算和网络应用的完美选择。
创意电子总裁陈超干博士表示：「创意电子拥有完整且业界领先的、经过硅验证的HBM2E/3 物理层/控制器IP、GLink IP、CoWoS和InFO_oS专业技术、封装设计、电气和热仿真、DFT和量产生产测试方案，使我们的ASIC客户能够缩短设计周期和快速进入量产。我们的人工智能、高性能计算机和网络客户采用GLink的强劲势头，支持我们致力于构建更广泛的IP产品组合，并深化创意电子专注于先进封装技术革命的设计专业知识。」
创意电子CTO Igor Elkanovich表示：「我们累积了多年HBM物理层和控制器IP的专业技术，重新定义了这款高数据流量密度、低功耗、低延迟、无错误的GLink接口。我们致力于保持相同功率和延迟的同时，每年将GLink流量密度提高一倍。从2021年开始，我们将用GLink-3D方案来补充HBM3和GLink，使用台积电 3D Fabric技术带来更高的数据流量密度、更低的延迟和更低的功耗。」


主要亮点

[li]无错误，每1毫米边界线的0.7 Tbps全双工通信量[/li][li]0.25 pJ/bit (每1 Tbps全双工通信量 0.25瓦特)[/li][li]所有工艺-电压-温度条件下的测试结果与设计前仿真完全一致[/li][li]相对于SerDes/封装基板的PPA优势[/li]

[li] 功耗降低6到10倍[/li][li] 对于每10 Tbps的全双工通信量，消耗的电量将减少15到20瓦特[/li][li]GLink IP占用的硅面积仅需1/3[/li]

[li]GLink IP用于高吞吐量互连的面积与功耗优势，可支持多芯粒CoWoS和InFO_oS解决方案达到2500平方毫米[/li]

                               
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