中国半导体业再次发起冲击 - 电工杂谈 - 电子工程师俱乐部

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沉寂了一段时间后，中国半导体业又重新开始冲剌，表现为上海华力12英寸项目启动及中芯国际扩充北京12英寸生产线产能至4.5万片，包括可能在北京再建一条12英寸生产线等。

然而，从国外媒体来的讯息表示的观点有些不同。如美国Information Network认为中国半导体业在政府资金支持下，在未来的5年内将投资250亿美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市场分析公司对于投资的回报率存有质疑，其实这一切才是正常的。因为中国半导体业是属于战略产业，不是完全可用市场机制，单一的经济规律来解释得通。

中国半导体业的重要地位

站在国家利益角度，进行半导体业突破是必须的，因为半导体业是电子工业基础，它的成功能反映中国电子工业的基础水平。

从全球范围看半导体业是垄断性产业，除美，日本之外，主要集中在韩国及台湾地区。而那些第一世界中的发达国家如英、法、意大利等并没都有自已的半导体业。那就要问中国为什么一定要搞半导体业，能否也是“拿来主义”?答案是肯定的，由于国情不同，中国一定要有自已的半导体业。

而且，还有一个非常特殊的问题，即在发展高科技，包括半导体业中，西方有一个瓦圣纳条约，专门用来对付中国等国家，所谓出口高技术有限制，通常是N-2，即要落后于西方两代以上的技术才能出口到中国。千万不要忽视，这是阻碍中国半导体业进步的重要因素之一，所以中央领导每次与美国对阵，总是提出希望放宽高技术出口限制，然而美国等总是拿这张牌来要挟我们。

另外，为什么说发展半导体业是电子工业的基础。因为传统工业中使用材料的纯度通常是99%-99.99%，而在半导体业中如今使用的硅材料达 99.9999999%，即9个“9”，所以为了减少污染，半导体制造工艺中所使用各种气体，水，试剂，包括金属材料等，也必须达到9个“9”的纯度要求，相当于把整个工业基础水平由“工业级”提高到“电子级”。所以发展半导体业能带动整个电子工业的基础水平提升。

正如大连市长戴玉林的切身体会，越来越觉得英特尔带给大连的，绝不止于即将产生的巨大产值、税收和各种经济效益。比如他认为，英特尔来后大连市发生的一个重要变化，是将基础设施的规划设计水准提高到了国际一流。现在到大连开发区考察的企业对水、电、气等基础设施基本不怎么过问，“因为他们知道英特尔在这里，基础设施方面就不会有任何问题”。当初对于工厂的供电，英特尔提的要求是“采用双回路”、“供电连续性要达到99.9999%”，后者的意思是一年365天中停电时间不能超过15分钟。

由此，发展中国半导体业的重要地位已十分清晰，目前引进技术十分必要，可以节省时间，但是不可能依赖它，因为也不可能，它不是一个用钱就能解决一切的产业，必须通过自已的努力，逐步地缩小与世界先进水平之间的差距，最终实现自主的发展。

有可能突破吗?

这个问题从上到下，包括业界都在思考，因为根据历史的经验，中国有一定的可能性，但也面临诸多困难。例如，在2004年时，以中芯国际为代表的半导体业曾取得全球代工位居第三以及与台积电之间的工艺技术差距仅1年左右的水平。然而，如今差距可能扩大到2-3年。仔细分析原因是复杂的，尤其可能涉及到国家的工业基础水平。

如果客观地分析目前中国半导体业发动再次冲击的有利方面包括1)能从过去发展的经验中，如IP的缺失等，一定会有所改进 2)近期又引进一批优秀人材 3)国家表示愿意重新加大投入4)全球半导体形势转好，给中国的发展腾出空间。

因此，此次中国半导体业发动再次冲击有成功的可能性，但也不能轻视放在中国面前的许多障碍。从目前的竞争态势中，如高端技术的自主突破是首位。

差距有多大

目前中芯国际自David Wang上台后，又喜贺特许的杨士宁加盟，随之引进一批骨干人材。目前己经开始65nm产品的量产，月产为4000片左右，并正努力冲击45nm技术及准备32nm的研发，应该说已取得了长足的进步。另外上海华立正紧锣密鼓的进行设备订货及技术前期准备工作，如与IMEC签订65nm技术合作协议与培训人材。

但是台积电在Q12010年时65nm占营收27%及40-45nm占营收为14%。并正在扩充其12英寸生产线Fab 12与Fab14的产能。到2010年第四季度时两个工厂合计40nm产能将达到 16万片，比去年同期翻一番。该公司40nm工艺的销售额比例在2009 年第四季度为9%，预计2010年底将提高到20%。

联电目标在今年下半年实现65nm占营收的30-40%，即2010年销售额有近10亿美元，及45-40nm占3%。

另外，IBM、GlobalFoundries、三星电子、意法半导体四家行业巨头联合宣布，他们将合作实现半导体制造工厂的同步，共同使用IBM 技术联盟开发的28nm低功耗工艺生产相关芯片。

IBM技术联盟的28nm低功耗工艺使用Bulk CMOS、HKMG(高K金属栅极)技术，特别是有意通过独特的Gate First(前栅极)技术推动HKMG的标准化，号称在灵活性和制造性方面都优于其他类型的HKMG技术(主要是Intel)，芯片核心尺寸更小，设计和生产兼容性更好。预计今年底就会有工厂率先完成同步过程，随后不久便可以开始投产。

由此，全球代工的第一阵营中，包括台积电，联电，GlobalFoundries及三星基本上已进入45-40nm量产，而跨入28nm的试生产中。其中台积电声言将跳过28nm，而直接进入 20nm，采用领先半代的工艺技术策略。

所以中芯国际及华立不但要加紧寻找技术合作伙伴，进行自主的突破技术，而且一定要快，否则想从“虎口夺牙”，要争取更大的市场份额会有一定难度。然而，从长远看中国发展半导体业不必太在乎是全球第几名，而是在于从整体上提高中国半导体业的基础水平，使产业链更加完善，能让大部分企业能实现盈利而生存下来及芯片的自给率真正提高到一定水平。

来源：SEMI