ASML第四代EUV光刻机最新进度：正向1nm迈进

shuszhao

今天我们介绍了ASML最先进的EUV光刻机研发了10年，有10万个零部件，配送需要2年，第三代EUV最早是在2015年出货，第四代EUV目前的进度是：正向1nm迈进。
2015年，ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露，第3代极紫外光(EUV)设备已出货6台。郑国伟同时指出，ASML的EUV设备近期取得惊人突破，已有2家客户在以它进行晶圆处理时，测试结果达到每天可曝光超过600片晶圆。
6年过去了，第三代EUV光刻机已经得到了大量的应用，，日前，ASML产品营销总监Mike Lercel向媒体分享了第四代EUV（极紫外）光刻机的最新进展。ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE：3400B和3400C，它们的数值孔径（NA）均为0.33，日期更近的3400C目前的可用性已经达到90%左右。

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预计今年年底前，NXE：3600D将开始交付，30mJ/cm2下的晶圆通量是160片，比3400C提高了18%，机器匹配套准精度也增加了，它预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。
在3600D之后，ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，其中从EXE：5000开始，数值孔径提高到0.55，但要等待2022年晚些时候发货了。
由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间，0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年了，服务的应该是台积电2nm甚至1nm等工艺。
0.55NA比0.33NA有着太多优势，包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。
当然，硅片、曝光洁净室逼近物理极限，也是不容小觑的挑战。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱，而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右，可想而知了。

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