三星美国德州晶圆厂预计Q3开建，采用EUV工艺耗资180亿美元

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5月18日，据一家韩媒援引业内人士消息，三星电子已决定在美国德克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂，以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。
Electronic Times引述未具名行业消息人士的话报导，该工厂将采用5nm极紫外(EUV)光刻工艺，计划于今年Q3开工，2024年投产，预计耗资180亿美元。
根据此前韩媒《Infostock Daily》引述消息人士报导指出，这座新厂预计启用后将生产非内存半导体(Non-memorySemiconductor)，以及系统整合芯片（system LSI），预估产能达7万片/月。

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此前业界就已传出，三星电子正计划在韩国华城、平泽建立EUV生产体系，作为7纳米以下芯片的生产基地。三星副会长李在镕去年底还亲访荷兰ASML总部，实地了解了EUV设备生产情况，并希望提前交付预定的EUV生产设备。
美国德州是三星电子首次在韩国之外设立EUV产线，据三星电子之前提交给德州政府官员的文件，该公司考虑在德州奥斯汀投资170亿美元建立一个新的晶圆厂，称这将创造1,800个就业机会。
三星这项投资也是响应当前美国对先进工艺芯片的需求增加，以及美国总统拜登决定重新建立美国半导体供应链的计划下所进行的大规模投资。此前三星在德州奥斯丁地区原本就设有一座以 14 纳米工艺以上为主的成熟工艺晶圆厂，该厂在 2021 年 2 月美国暴风雪气候中，因断电缺水而停工了一段时间，这也让美国在汽车芯片的供应上更加吃紧。美国政府在汽车产业的强烈要求下，计划积极吸引海外半导体厂到美国进行设厂量产。
三星电子未立即就此置评，业内估计三星将在5月21日的美韩高峰会议期间发布正式公告。

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