下一代EUV光刻机延误？日本厂商紧急驰援

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在半导体行业观察日前的文章《EUV光刻机路线图》中，我们谈到了ASML在下一代的High NA EUV光刻机上面面临可能的延误问题。而随即，东京电子发布了一个新闻稿，他们表示，公司将于将与 imec-ASML 合作，携手推动High NA EUV 光刻机的发展。 东京电子表示，公司将向imec-ASML High NA EUV联合研究实验室（high NA EUVresearch laboratory）提供其领先的涂布机/显影剂（Coater/Developer），该设备将与ASML的EXE:5000 集成，这是 ASML 的下一代高数值孔径 (NA：numerical aperture )  EUV 光刻系统，拥有0.55的NA。按照原计划，这个新光刻机将于2023 年投入使用。而通过与 imec 和 ASML 合作，TEL 将继续追求技术开发以满足其客户不断扩展的需求。 报道进一步指出，与传统的 EUV 光刻相比，High NA EUV 光刻有望提供更先进的图案缩放解决方案。被引入联合研究实验室的涂布机/显影剂将具有先进的功能，它们不仅能与广泛使用的化学放大抗蚀剂（chemically amplified resists ）和底层（underlayers）兼容，而且还与旋涂含金属抗蚀剂兼容（spin-on metal-containing resists）。 报道表示，旋涂含金属抗蚀剂已表现出高分辨率和高抗蚀刻性，有望实现更精细的图案化。然而，含金属抗蚀剂（metal-containing resists ）还需要精密的图案尺寸控制以及硅片背面和斜面的金属污染控制。 为了应对这些挑战，安装在联合研究实验室的涂布机/显影剂配备了能够处理含金属抗蚀剂的前沿工艺模块。 结合新的工艺模块，TELCoater/Developer 的单个单元可以在线处理多种材料，包括化学放大抗蚀剂、含金属抗蚀剂和底层。这将实现灵活的晶圆厂运营，同时实现更高的生产力和高可用性，这是涂布机/显影剂的优势之一。 利用其产品跨越多个相邻工艺的广度，TEL正在与抗蚀剂材料供应商建立合作伙伴关系，以提供涵盖蚀刻工艺以及光刻工艺的涂布机/显影剂的全面图案化解决方案。 TEL 公司董事、高级副总裁兼 SPE 业务部总经理 Yoshinobu Mitano 表示：“TEL 很荣幸在联合研究实验室与 imec 和 ASML 合作，以进一步了解和解决High NA EUV 在图案化方面面临的挑战。通过利用我们在 EUV 光刻工艺技术的大批量制造方面的经验，我们打算及时向客户的晶圆厂提供高 NA EUV 工艺解决方案。” TEL 副总裁兼 CTSPS BU 总经理 Keiichi Akiyama 评论说：“作为目前在 EUV 光刻在线 Coater/Developer 中占有 100% 市场份额的制造商，我们期待与联联合研究实验室合作，实现最用于下一代高数值孔径 EUV 光刻的先进涂布机/显影剂。我们将与合作伙伴合作，引入和验证尖端方法和技术，以应对客户的挑战。” imec 首席运营官兼研发执行副总裁 Rudi Cartuyvels 表示：“超过 25 年以来，imec 和 TEL 一直是战略合作伙伴，开发创新解决方案以推进半导体规模化。imec 期待继续与 TEL 合作，以实现半导体缩放路线图的下一步，即High NA 图案化。” imec 高级图案化、工艺和材料副总裁 Steven Scheer 表示：“TEL 和 imec 之间的合作是识别和消除使用旋涂抗蚀剂的 EUV 图案化中关键缺陷的关键，有助于大量引入 EUV制造业。对于high NA EUV 图案化，使用更薄的抗蚀剂膜和更小的特征尺寸，减少缺陷将更加重要。因此，imec 很高兴与 Imec-ASML 联合研究实验室中的 TEL 和抗蚀剂材料供应商合作，以加速在行业中引入High NA EUV。”

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