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FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
功能比较
| FRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | 内存类型 | 非挥发性 | 非挥发性 | 非挥发性 | 易挥发的 | 写法 | 覆盖 | 擦除 + 写入 | 擦除 + 写入 | 覆盖 | 写周期时间 | 150ns | 5ms | 10µs | 55ns | 读/写周期 | 10[sup]13[/sup] | 10[sup]6[/sup] | 10[sup]5[/sup] | 无限 | 升压电路 | No | Yes | Yes | No | 数据备份电池 | No | No | No | Yes |
与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比,FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势; |
铁电存储器也能以写入方式存储数据。不仅如此,FRAM可以比EEPROM和Flash存储器更频繁地记录数据。写入数据时,EEPROM和闪存需要高电压,因此比FRAM消耗更多功率。因此,通过使用FRAM,可以延长电池供电的小型设备的电池寿命。 |
在工厂对每个产品进行参数写入的情况下,铁电存储器有助于降低制造成本,因为与EEPROM和闪存相比,FRAM可以缩短写入时间。此外,FRAM可以给您一个芯片解决方案,而不是多芯片解决方案,例如2个芯片由EEPROM+Flash组成,或者3个设备由EEPROM+SRAM+电池组成。 |
SRAM
具有并行接口的铁电存储器,兼容电池备份SRAM,可以替代SRAM。通过将SRAM替换为FRAM,客户希望获得以下优势。 |
使用SRAM的系统需要保持电池状态检查。通过更换为FRAM,客户可以从电池检查的维护负担中解脱出来。此外,FRAM不需要SRAM所需的电池插座和防回流二极管及其空间。FRAM的单芯片解决方案可以减少空间和成本。 |
废旧电池成为工业废弃物。通过用FRAM替换SRAM+电池,可以减少不必要的备用电池。 |
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