IME 采用TSV技术，3D芯片堆叠突破四层

shuszhao · 发表于 2021-7-26 08:30:44

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随着半导体工艺技术的研发愈加困难，想突破更先进的工艺变得相当不容易。且不说英特尔在14nm工艺节点徘徊了很久，想进入10nm以下区域估计也要费不少周折，即便处于领先地位的台积电（TSMC），近期也传出3nm工艺延期的消息，至于台积电身后的追随者三星，似乎也不是特别顺利。
既然工艺技术提升受阻，或者要换个方式来提高未来芯片的性能了，也许3D堆叠技术是一种选择。据Tom’s Hardware报道，新加坡科技研究局(A*STAR)旗下微电子研究院Institute of Microeletronics（IME）的研究人员刚刚实现了一项技术突破，实现了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比，可以节省50%的成本，该技术可能会用于未来的CPU和GPU上，或许真正的新一代3D芯片堆叠就在眼前。
相比此前台积电和AMD的SRAM堆叠技术，IME的这项新技术更进一步。在AMD展示采用3D堆叠技术的Ryzen9 5900X处理器的原型设计里，基于台积电无损芯片堆叠技术的产品只有两层，第一层是Zen 3架构的CCX，第二层是96MB的SRAM缓存。IME的研究人员则展示了另外一种工艺，通过TSV（硅通孔技术）成功键合(wafer bonding)了四个独立的硅层，允许不同模具之间通信。

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具体做法是第一层半导体层的面朝第二层，第二层也面向第一层。第二层半导体层的背则朝第三层的背，第三层的面又朝向第四层的面。半导体层结合后，IME 透过专门设计路径蚀刻“压紧”，最终藉 TSV 整合使电流数据流过。
这样的技术带来的好处是显而易见的，可以允许芯片由不同工艺的组件在不同晶圆中制造，在近期英特尔的演讲中可以感觉到，新芯片的设计上已经往这方面的思路发展了。这样的堆叠当然也会带来其他的问题，就如许多人所想的那样，虽然芯片效率提高了，但要面对散热问题，所以会看到许多奇特的、直接用在芯片上的散热技术开始浮现。
就如《电子工程专辑》日前报道的，一种在芯片中直接蚀刻出水道的“片上水冷”散热方式。

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利用融合/混合键合技术实现两层以上多层W2W堆栈的能力对于下一代产品至关重要。这包括各种应用，例如行动运算、高性能运算和绘图运算，都需要具有成本效益的3D整合技术。
3D整合、TSV制程和多晶圆熔接技术的突破，将使组件制造商能够更有效地整合具有高附加价值的3D产品。对于设备制造商、设备供货商和材料供货商而言，这一发展将意味着具有更低成本3D DRAM和制造的新商机。

minghuang · 发表于 2021-7-26 08:39:39

范德萨范德萨

1123581321 · 发表于 2021-7-26 08:42:15

zeosv · 发表于 2021-7-26 08:46:02

TSV技术

wangyitu · 发表于 2021-7-26 08:47:50

现在好像制程遇到问题了~

maogege-chen · 发表于 2021-7-26 08:50:22

lqsgg · 发表于 2021-7-26 08:55:40

水中天 · 发表于 2021-7-26 08:57:34

666666666666

sunjq · 发表于 2021-7-26 09:00:01

rain-fine · 发表于 2021-7-26 09:49:24

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[零组件/半导体] IME 采用TSV技术，3D芯片堆叠突破四层

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