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“昨日晚间,中芯国际发布二季度财报,2021 年第二季度的销售收入为 13.4 亿美元,同比增长 43.2%。第二季度毛利为 4.05 亿美元,同比增长 62.9%。今日上午,中芯国际联合首席执行官赵海军在二季度电话会议上表示,“我们的 FinFET 工艺已经达产,每月 1.5 万片,客户多样化,不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态,客户不断进来。””
昨日晚间,中芯国际发布二季度财报,2021 年第二季度的销售收入为 13.4 亿美元,同比增长 43.2%。第二季度毛利为 4.05 亿美元,同比增长 62.9%。
今日上午,中芯国际联合首席执行官赵海军在二季度电话会议上表示,“我们的 FinFET 工艺已经达产,每月 1.5 万片,客户多样化,不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态,客户不断进来。”
前不久中芯国际吴金刚博士宣布离职。吴金刚博士担任中芯国际研发副总裁,是公司五大核心人才之一,参与了 FinFET 工艺研发。此前吴金刚博士离职时,中芯国际发表公告,表示离职后,吴金刚博士不再担任公司任何职务。目前公司的技术研发工作均正常进行,吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。
目前,台积电、三星在 5nm/7nm 工艺段都采用 FinFET 结构,而在下一世代 3nm 工艺的晶体管结构选择上,两者出现分歧。三星选择采用 GAA 结构,台积电则出于稳健考虑,选择在第一代 3nm 工艺继续沿用 FinFET 技术。
近日,三星代工厂流片了基于环栅 (GAA) 晶体管架构的 3nm 芯片,通过使用纳米片(Nanosheet)制造出了 MBCFET(多桥通道场效应管),可显著增强晶体管性能,主要取代 FinFET 晶体管技术。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管 Charlie Bae 表示:“基于 GAA 结构的下一代工艺节点(3nm)将使三星能够率先打开一个新的智能互联世界,同时加强我们的技术领先地位”。
分析称,2nm 或将是 FinFET 结构全面过渡到 GAA 结构的技术节点。在经历了 Planar FET、FinFET 后,晶体管结构将整体过渡到 GAAFET 结构上。根据国际器件和系统路线图(IRDS)的规划,在 2021-2022 年以后,FinFET 结构将逐步被 GAA 结构所取代。 |
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