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[最新新闻] 存储技术,美光终反超三星?

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日前,台湾半导体大厂齐聚李国鼎纪念论坛,参与者包括台积电、联发科、日月光、旺宏等公司董事长与执行长,会中台积电董事长刘德音提到,「美光的记忆体技术已经超越三星」。

刘德音这一句谈话,似乎没有引起市场太多人的关注,但却让我心中为之一惊,因为过去三星一直是记忆体产业龙头与技术领先者,如今竟然被美光超越,让我很想一窥究竟,到底发生什么事了?

由于事后刘德音没有再进一步说明,我尝试问几位产业人士,大部分人还不是很清楚,但仔细查阅一下资料,又问了几位关键人士,没想到,美光确实有后来居上的情况。

先说一下结论,目前在NAND Flash部分,美光确实已超越三星,美光的176层堆叠3D NAND Flash开始大量生产,但三星目前还是128层。

至于DRAM技术,美光原本还是落后,但如今追赶速度加快,今年第一季已领先三星、SK海力士导入1α制程量产,更预计抢先在2022年推进到1β制程。这场美光与三星的记忆体龙头之争,未来几年将很有看头。

结论可以一句话说完,但要分析美韩记忆体大战,需要先从产业竞争的大环境谈起。

台积电、美光合作是现阶段最佳选择


首先,从刘德音口中说出来,这是非同小可的事,绝对不是随便说说的,尤其当天正好英特尔执行长说台湾不安全,要美国不要补贴台积电,满场被媒体包围的刘德音,还说他不评论此事,「因为台积电不会中伤同业。」对于同在晶圆代工市场的主要对手三星,刘德音直接评论说三星技术输给美光,这绝对要有根据,因为台积电不会为了拉抬自己而中伤同业。

此外,三年前刘德音就曾谈过「记忆体内运算」(in-memorycomputing)的趋势,认为逻辑晶片及记忆体进行异质整合,可明显提升半导体运算效能。从当时刘德音提出来,到如今台积电将美光列入记忆体领域合作伙伴,也与整个外在大环境的明显变化有关。

台积电与美光的合作,有其客观的产业环境与条件,一方面是记忆体三强中,三星及海力士都是与台湾处于竞争状态的韩商,另外日商铠侠没有DRAM;至于美光目前生产基地几乎都在台湾,与台湾合作有地利之便,因此美光显然是台积电现阶段的最佳选择。

另一方面,台、美半导体产业合作,双方愈走愈近,这也是美中对抗后自然形成的结果。台积电需要整合逻辑与记忆体技术,美光想要扮演更大的整合角色,加上联电与美光的官司诉讼也在日前和解,接下来台、美的合作将可以加速展开。
因此,当台积电与美光合作更为紧密,刘德音对美光的技术布局自然有深入了解,当他说出美光技术强过三星时,不仅是对美光技术能力的一大肯定,对双方合作有很大加分,对于台积电与对手三星的竞争,也有壮大声势的效果。

11月初,刚从美光副总裁及台湾董事长缷任的徐国晋,就回锅加入台积电,掌管先进封装测试的研发重任,未来将推动应用处理器与记忆体走向3D堆叠的异质整合。如此高阶层的主管进行交流,显示台积电与美光的合作将进入一个新时代,而美光也将成为台积电大同盟中一个重要的伙伴。

谈完大环境后,再回来看看美光技术领先三星的现况。今年6月,南韩媒体透露,原本居NAND Flash龙头地位的三星,正在南韩平泽厂测试第7代176层堆叠的快闪记忆体生产线,预计2021下半年开始量产,但美光已提前在2020年11月量产,至于SK海力士也宣布完成生产,两家竞争对手的超前成果,让三星过去的技术优势面临挑战。

韩媒当时也透露,三星将加速量产8代V-NAND快闪记忆体,届时将是228层的堆叠技术,希望能够重新夺回领先优势。不过,根据台湾记忆体下游供应商的说法,目前三星176层堆叠的产品尚未进入大量生产阶段,228层的产品还在样品阶段,但美光的176层产品已大量生产及交货,明显看出三星在NAND Flash有落后美光的态势。

此外,在DRAM部分,根据The Information Network及电子时报(Digitimes)整理的资料(见表一),美光在2021年第一季导入1α制程量产,比三星及海力士要到2022年第一季才推进的时间点提早一年,这也让原本在1y、1z制程落后三星的美光,有机会在未来几年内取得领先优势。


表一、相较于三星及海力士,美光DRAM技术1α制程超前布署


一位半导体资深业者指出,三星近年来积极投资晶圆代工产业,似乎对记忆体领域有稍微松懈的感觉,但近来领导人李在镕又加快改革,将半导体、消费电子和行动通讯3大部门的执行长全换掉,并且将业务简化成消费电子和半导体2个部门,行动通讯并入消费电子部门。

这位业者指出,这些大动作的组织变革,似乎是预见了三星将遭遇威胁与危机,因此提前做准备。

记忆体3大关键趋势攸关各公司未来发展


关于记忆体产业,除了美光技术领先三星外,还有另外三个关键趋势,应该一并注意。

在论坛当天,旺宏董事长吴敏求提到,人工智慧(AI)时代来临,NAND Flash不只是协助DRAM,还可以直接支援处理器(processor),进行更有效率的运算与储存。预料NAND Flash未来会取代DRAM成为主流,这是可以确定的大趋势之一。

此外,在逻辑IC与晶圆代工产能严重不足下,包括日月光半导体执行长吴田玉及钰创董事长卢超群都表示,今年和明年全球新兴建的晶圆厂达到32个,这个数字比今年六月SEMI预估的29座,又再增加3座,显示产业界确实对产能不足有很深的忧虑。(见图一)



图一、SEMI在今年6月预估全球在2021及2022年会新兴建29座晶圆厂

更值得注意的是,在32座晶圆厂中,其中只有两座是记忆体,其他都是逻辑IC厂,至于后年开始还有53座晶圆厂要兴建,这其中也大多不是记忆体厂。从这些数字里可以看出来,产业界对未来逻辑IC的成长很看好,但对记忆体的成长预估就很谨慎,这是有关记忆体产业的大趋势之二。

最后一点,则是记忆体与逻辑IC的整合,不是只有制造业关心,例如不只台积电、联电都将与美光等业者展开合作,未来IC设计业要如何与记忆体技术做整合,也是联发科董事长蔡明介非常关心的话题,未来两大技术领域如何整合,以及厂商之间会出现那些合纵连横,是值得关心的第三大趋势。
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