光刻胶简介——光刻工艺中的涂胶、前烘烤、曝光、显影工序

前烘对正胶显影的影响

前烘对负胶胶显影的影响

光刻中的曝光其实是一个很难的item，但对于一般的应用场景来讲，非先进光刻，一般都是以track工艺为主，大部分都是光刻胶的一些工艺。先进光刻中，Overlay就是一个很难的点，一些套刻by wafer level，by shot level对准、能量补偿，补值问题很复杂。而且还有其他的光学问题，热力学问题，很复杂。

光刻胶显影液的选择标准

与光刻胶的兼容性

不是所有的光刻胶都可以用所有的显影液毫无残留的显影。因此我们需要加以选择，一般来说我们的光刻胶介绍资料上都会有推荐的一种或者几种显影液。

选择浓缩显影液还是配置好的显影液？

金属离子显影剂，如AZ®351B、AZ®400K或者Allresist公司的AR 300-26显影液，通常以浓缩液供应，并在使用前需要用去离子水稀释。

而大部分基于TMAH的不含金属离子的显影液，如以2.38% THMA为基础的AZ®326 MIF，Allresist公司的AR 300-44是已经稀释(随时可用)的显影液，只有在特殊的应用工艺中需要稍微做进一步稀释使用。

与设备和显影工艺的兼容性

对于浸没显影(烧杯或槽内)，基本上所有显影都适用。然而，如果对显影液进行强力机械再循环，例如添加显影液中的表面活性剂的发泡可能会产生问题。

在喷淋显影过程中，含表面活性剂显影剂的泡沫形成会导致显影不均匀。然而，这些表面活性剂作为润湿剂是在搅拌显影过程中快速和均匀润湿衬底的先决条件，从而使显影结果在整个衬底上都是均匀的。

选择含金属离子显影液还是不含金属离子的显影液？

含金属离子显影液在成本上相比于基于TMAH的不含金属离子显影液便宜的多，在性能上没有什么差异。

因此，选择最佳显影液的一个重要标准就是显影液必须是无金属离子的(MIF)还是可以使用含金属离子的(MIC)显影液的问题。例如，游离的金属离子是必须排除的一种条件，即显影液在衬底上残留的钠或钾离子在随后的高温过程中扩散到半导体衬底上，并作为杂质影响衬底的电学性质。

与衬底的兼容性

显影液与所使用的衬底材料的兼容性也必须考虑：大多数显影液由于其高pH值（约为13）所以会腐蚀对碱性敏感金属如铝和铜等以及各种化合物半导体，同时衬底背面的刻蚀也需要注意。

市面上一些基于偏硅酸钠和磷酸盐的显影液能够减小对铝的腐蚀，对其他碱敏感材料的刻蚀程度也小于其他显影液。

MIC和MIF显影液之间的不兼容

微量的TMAH基金属非离子显影液体（如AZ®326 MIF, 726 MIF或826 MIF）的加入可以显著降低含金属离子显影液（如 AZ®400K或351B ）的显影速率。如果在同时使用两种类型的显影液，即使在ppm范围内，也要确保非常干净的工作，以防止相互污染，例如在管路分配系统或显影容器中。