是德科技展示RF电路与3D电磁设计模拟方案

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是德科技展示RF电路与3D电磁设计模拟方案


关键词：是德科技,RF电路,3D电磁设计,模拟技术
时间：2014-12-10 16:50:31      来源：微波射频网


是德科技(Keysight Technologies, Inc.)近日宣布，该公司于美国加州举办的化合物半导体集成电路研讨会(CSICS 2014)中，展出旗下最新的射频(RF)电路、系统和3D 电磁设计与模拟解决方案。

本次研讨会吸引了来自全球各地的学者与专家，共同讨论并展示最新的技术研究成果，包括砷化镓(GaAs)IC技术和单片微波集成电路设计，以及氮化镓(GaN)、磷化铟(InP)、锗(SiGe)、奈米级CMOS和其他新兴技术。CSICS是全球最重要的半导体盛会，所有与会者均热烈探讨最尖端的芯片性能、创新的设计技术，以及先进的组件技术。会中讨论的其他重要技术包括GaN HPA 、InP THz Pas、100 Gb/s CMOS/SiGeGaN 收发器、GaN HEMT功率组件，以及紧密建模技术。

是德科技专家和应用工程师于CSICS 2014研讨会中展示了最新版的电子设计自动化(EDA)软件。这套先进的设计软件可全面支持微波、射频、高频、高速数字、射频系统、电子系统层级(ESL)、电路、3D电磁、实体设计与组件仿真等应用。

是德科技于会中展示的技术包括：

˙具备3D 电磁组件、可与ADS 紧密整合的EMPro 。EMPRO 提供时域和频域模拟技术，可处理各种射频、微波和高速数字应用。

˙使用是德科技点对点平台执行CMOS和III-V组件的建模与特性分析，以便推动尖端逻辑、AMS和射频技术的发展。该平台提供开放式程序设计环境以及内建的统包解决方案，适用于晶圆级自动化测量和半导体组件建模。

˙先进设计系统(ADS)和新的电热仿真器、Doherty和波封追踪应用程序，以及GaAs、GaN、Silicon RFIC及多技术射频模块设计功能。

是德科技资深射频模块设计工程师Matthew Ozalas并于CSICS 2014发表《电热耦合对射频功率放大器性能的影响》技术论文。

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