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三星、TSMC、Intel争抢7nm首发,AMD的“GF”也要领先
2016-05-29 07:52:34 2034 次阅读 2 次推荐 稿源:Expreview超能网 0 条评论
2016年半导体的主流工艺是14/16nm FinFET工艺,主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries(格罗方德)三大阵营,下一个节点是10nm,三方都会在明年量产,不过10nm主要针对低功耗移动芯片,下下个节点7nm才是高性能工艺,是首次突破10nm极限,也是三方争抢的重点,TSMC及三星都准备抢首发。不过此前缺席了的GlobalFoundries公司这一次杀回来了,誓言在7nm节点领先。
IBM、GF去年率先公布了7nm工艺的突破进展
在7nm节点上,Intel表态很谨慎,14nm及10nm工艺都要战三代,7nm工艺要等到2020年了,但是TSMC和三星就激进多了,三星前不久巨资购入了EUV光刻机,希望在明年开始试产7nm工艺,TSMC公司也不甘落后,联合CEO刘德音日前表态称7nm工艺的SRAM良率已达30-40%,将是业界首家通过7nm工艺认证的半导体公司。
在这三家公司之外,还有一家公司不容忽视——从AMD半导体业务剥离出来的GlobalFoundries(格罗方德)公司,虽然被称为AMD的GF,但他们现在已经跟AMD没多大关系了,AMD的股份已经全都出手了,双方现在更像是一般的代工合作伙伴关系。
GlobalFoundries此前在半导体工艺上走的磕磕绊绊,但在14nm节点果断放弃自研工艺转而选择了三星14nm FinFET授权,现在已经走上正规了,不过他们显然不会甘心于此,2014年收购了IBM公司的晶圆厂业务——他们没花钱,反倒是IBM补贴了15亿美元。
GlobalFoundries在这次收购中获得了大量有经验的员工,这对推动新工艺研发很有帮助。去年7月份,GlobalFoundries联合IBM、三星及纽约州立大学率先推出了7nm工艺,他们也要在新一代工艺上保持领先了。
日前GlobalFoundries公司CTO。高级副总Gary Patton透露了他们的7nm工艺进展,表示已经激进地缩减了新工艺的栅极间距(pitch,衡量工艺水平的关键指标之一,数值越小越好)。
Patton表示他们在纽约州马耳他市的晶圆厂正在量产14nm工艺,这为他们开发更先进的工艺奠定了基础。
对于7nm,Patton声称即便没有EUV工艺,他们的新工艺也能降低晶圆成本。
按照Patton的预计,EUV工艺预计会在2020年量产,2018/2019年可能会少量生产。 |
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