线性稳压器LDO选择与使用技巧

xiaoxiaoxinba · 发表于 2020-6-6 12:30:50

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反馈回来控制晶体管打开的角度。
芯片内核温度不要超过：125℃（工业级），θja=60℃/W，功率每上升1W，不加散热片的情况下，芯片内核到空气的总的热阻是60.θjc是内核到芯片内核的热阻。
芯片静态工作功率很低可以忽略不计。
输出电容：并联0.1uf陶瓷电容，1uf或者4.7uf的陶瓷电容，22uf的钽电容；
开关电源的纹波一般好的20mV，或者有50mV，80mV；
LDO的纹波达到uV级别；ADI最低的纹波为0.8uV，比干电池的纹波还小。
新版本的LDO并联更好，采用共同的采样电阻，使得输出的电压几乎一样大；
虽然基准一样了，但是芯片里面的比较器和晶体管很难做到100%一致，所以需要在输出端加入10mΩ的PCB线路来吸收那一点点误差。
1.3.3V输出，0.3A电流，4V的压差，产生1.2W的功率，输入7.3V
DD-PARK的温度：工作30秒左右后，50摄氏度左右。加个USB的微风的风扇，温度回落到43℃
SOT-223的温度：92℃，加风扇后后，温度回落到；
对比，符合热阻参数的值；
2.散热片对散热的帮助TO-220，1.2W
未加散热片时：30秒后，61℃；
未加导热硅胶的加散热片时：40秒后，43℃，风扇加微风后38℃；
加更大的散热片：40秒后，32℃；
小散热片40秒后，温度为43℃，同时加硅胶垫片时（减小两个金属中间接触的缝隙也就是为了减小热阻）：40秒后，41℃，加风扇后35.5摄氏度；（有风时加硅胶效果会好一点）；
密闭腔体散热器的帮助，将电流调大到0.8A，3.2W，这样温度上升会快一点。
以上是小散热片，模拟密闭空腔，3.2W，60秒后，把罩子拿开，测温80℃；
换一个大的散热片，密闭空腔，没有空气对流，3.2W，60秒后，测温63.5℃；烫手；
由于测试环境条件不足，试验失败，哈哈哈；
但是结论是：在一个密闭的腔体里，没有空气对流，散热器的大小对散热的本质作用是有限的；
3.两类LDO并联：LT3080和AMS1117-3.3；500mA负载，5V的压差；输入8.3V，输出3.25V（由于线损的原因）；
两个LT3080：两边的温度比较均衡，81.2和81.5℃，基本是同步的，两个温度同步；
两个AMS1117：为了安全防止烧毁，将电流改小为0.2mA，温度一个是66度，另一个30度，不平衡；将电流往上加1A，将压差调低，输入电压为5.3V，此时，一个稳定80度，另一个50度；1.4A时，一边92度，另一边72度。加到输入电压6.3V，7.3V，8.3V，芯片烧坏，输出不是3.3V了，5V的压差，电流未能达到2A；温度130度，125度，烧；

图文并茂

1.4 线性稳压器LDO选择与使用技巧.pdf (15.49 MB, 下载次数: 11)