SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

似水流年

SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’



SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com/cha/main.do）宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。

图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E

SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。

HBM2E拥有超高速、高容量、低能耗等特性，是适合深度学习加速器（deep learning accelerator）、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案。与此同时，HBM2E将适用于在未来主导气候变化、生物医学、宇宙探索等下一代基础、应用科学领域研究的Exascale 超级计算机（能够在一秒内执行一百亿亿次计算的计算机）。

图2. SK海力士成员庆祝HBM2E量产

吴钟勋SK海力士副社长兼首席营销官（Chief Marketing Officer, CMO）表示：“SK海力士通过开发世界第一款HBM（High Bandwidth Memory）等成果一直引领着有助于人类文明发展的新一代技术革新。公司将通过本次HBM2E量产强化高端存储器市场上的地位，并倡导第四次工业革命。”

注解

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）
-相较传统DRAM，借助TSV技术飞跃性地提升数据处理速度的高性能、高带宽存储器产品

TSV（Through Silicon Via，硅通孔技术）
- 在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术
- 该技术在缓冲芯片（buffer chip）上将数个DRAM芯片堆叠起来，并通过贯通所有芯片层的柱状通道传输信号、指令、电流。
- 相较传统封装方式，该技术能够缩减30%体积，并降低50%能耗。

数据处理速度换算规则
- 1GB = 8Gb
- 以每个pin 3.6Gbps的速度通过1,024个数据I/Os进行运算 = 3686.4Gbps
- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB换算)

郑先生