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Soitec与Qualcomm Technologies签署合作协议,为5G射频滤波器大规模生产POI衬底



半导体材料创新、设计和生产全球领军企业,法国Soitec半导体公司今日宣布与Qualcomm Technologies, Inc.签署合作协议,为其供应压电(POI)衬底以用于4G和5G射频滤波器。

协议指出Soitec将确保为Qualcomm Technologies公司新一代射频滤波器供应POI衬底
Soitec已与Qualcomm Technologies合作多年,本次与其签订此协议,将为Qualcomm Technologies的射频滤波器大规模生产POI衬底,以用于智能手机射频前端模块。

“凭借我们突破式创新的薄膜式SAW技术,以及Qualcomm[sup]®[/sup]ultraSAW 射频滤波器产品,我们将继续突破移动技术的边界,”Qualcomm高级副总裁兼射频前端业务总经理Christian Block表示,“与Soitec的协议对于确保高性能POI衬底的供应,以及满足OEM客户对高性能Qualcomm[sup]®[/sup] ultraSAW射频滤波器产品的需求至关重要。通过Soitec基于Smart Cut[sup]TM[/sup]技术的POI衬底,与Qualcomm Technologies滤波器的设计和系统相结合,可以保证带有多滤波器功能的多工器芯片的高良率。”


Soitec的POI衬底在射频滤波器上具有独特价值
POI是通过Soitec专利技术 150 mm Smart Cut[sup]TM[/sup]打造的创新型优化衬底。POI以高阻硅作为基底、上覆氧化埋层,并以一层极薄且均匀的单晶压电层覆盖顶部。Soitec的POI衬底用于构建最新一代的4G/5G表面声波(SAW)滤波器,具有内置温度补偿的性能。

“这项协议是Soitec和Qualcomm Technologies公司合作的结果。Soitec的POI衬底现在是Qualcomm Technologies为移动设备提供的5G产品的重要组成部分,我们对此感到非常高兴。”Soitec全球业务部门高级执行副总裁Bernard Aspar博士说,“Soitec长期服务射频市场,有着丰富的经验,尤其是RF- SOI有着极高的出货量。基于我们强大的Smart Cut[sup]TM[/sup]技术,我们有信心能够大批量生产POI衬底,使其成为5G射频滤波器的标准材料。”
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