为5G赋能，X－Fab RFSOI流程将加入OTP熔丝技术

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为5G赋能，X－Fab RFSOI流程将加入OTP熔丝技术

台湾Attopsemi公司的用于可编程内存的一次性可编程(OTP)熔丝技术，已通过X-Fab的130nm RFSOI工艺的认证。

据X-Fab介绍，Attopsemi公司的OTP熔断器技术适用于5G通信，可以在2.5V和1.8V下读取，并兼容MIPI。熔断器技术可用于模拟讯号调整或数据存储，如5G新无线电(NR)，并已移植到X-Fab的XR013 130nm RFSOI绝缘子上硅工艺。

Attopsemi公司表示，I-Fuse的编程高于电迁移“阈值”，低于热失控，这使得它不会爆炸，并区别于其他熔线技术。该公司已经发表了关于I-Fuse的技术论文，但没有指出它使用的I-Fuse的材料。

2016年，它发表了一篇论文，试图用金属栅极定义WSi2、TiSi2、CoSi2和NiSi等材料热失控的临界电流。

据悉，该技术此前已移植到Globalfoundries 22FDX 22nm FDSOI工艺中，并已被Melexis部署在传感器集成电路中。

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