中科院：5nm光刻技术被误读，国产水平在180nm，仍在试用阶

似水流年

中科院：5nm光刻技术被误读，国产水平在180nm，仍在试用阶段

今年 7月份，中科院发表的一则《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文引起了广泛的关注。当时，华为正被美国打压，中国芯片产业成为了国人的心头忧虑。

因此，中科院此新闻一出，遭部分媒体夸张、误解之后，立刻引起了一片沸腾。有媒体将其解读为“中国不用EUV光刻机，便能制造出5nm芯片”，但事实并非如此。
近日，该论文的通讯作者刘前在接受《财经》记者采访时，作出了解答。

刘前表示，论文介绍的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，主要用在光掩膜制作上，并非是极紫外光光刻技术，部分媒体混淆了两者的概念。
在光刻过程中，光源通过激光将电路设计图写在光掩膜版上，然后照射在硅片的表面，之后便会进行刻蚀工艺。

可见，光掩膜是集成电路光刻机制造中，不可或缺的重要部分，其对集成电路线宽也起到了一定限制作用。人们常提到的12nm、5nm等，便是集成电路线宽。
长时间来，中国只能制造中低端光掩膜，并且还要依赖海外技术、材料等。
而高端光掩膜版更是成为我国“卡脖子”技术之一。全球高端光掩膜市场主要被美国Photronics、日本印刷株式会社、日本Toppan三者所垄断，余下的市场份额很少。

因此，中科院所攻克的这项新技术，虽然没有部分媒体表述的那样夸张，但对我国高端光掩膜市场的突破，依然具有重要意义。该技术具有完全自主知识产权，并且有成本更低的优点。

但是，该技术仍处在实验室阶段，想要实现商用并非是一件容易事。

而且，我国光刻机技术也有十分漫长的路要走。据AI财经社消息，有半导体产业资深人士表示：目前我国可以实现180nm制程，但仍在试用阶段，还需要攻克。

为何中国光刻机技术发展如此缓慢，有半导体业界人士表示：是产业环境的问题。此前，国产设备不被看好，客户不愿意配合使用与测试。这阻碍了我国光刻机产业的发展。

但是，华为被美国制裁事件发生后，许多相关厂商改变了看法，意识到将关键技术、设备等掌握在自己手中的重要性，中国集成电路产业的发展速度有明显加快。不过，在中国落后颇多的情况下，想要实现突破并非是一件易事。但即便如此，国产芯片仍要抱有信心，不断追赶。

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国产水平在180nm，仍在试用阶段

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大点没什么的，哪怕到了手机上也就厚1.5毫米够了

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