两家闪存芯片工厂停产：材料遭污染

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中新经纬2月11日电 据华尔街日报中文网11日消息，1月下旬以来，两家生产闪存芯片的工厂因污染问题而停产，这可能会影响已经陷入困境的半导体供应链。
据报道，这两家工厂是由日本的铠侠与总部位于美国加州圣何塞的Western Digital合作经营的。两家工厂生产的NAND闪存芯片用于包括智能手机、电脑和服务器在内的许多产品。
报道称，这两家公司于日本时间周四表示，用于制造芯片的一些材料在日本四日市和北上市的工厂受到不明污染。
铠侠介绍，这一问题影响到一种被称为三维闪存的先进制程芯片。该公司表示，希望尽快恢复业务的正常运转，但没有给出具体时间表。Western Digital称，这一问题可能会导致至少6.5个艾字节的闪存短缺，大约相当于1亿个通常用于数码相机存储的64千兆字节闪存卡。
据集邦咨询(TrendForce)数据，这一短缺相当于铠侠和Western Digital今年第一季度预期产量的13%。

  

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