SK海力士全球首发HBM4-16层堆叠、2.0TB/s 带宽及台积电逻辑芯片

SK 海力士决定在台积电北美技术研讨会上向公众展示其 HBM4 实现方案，同时还展示了其他几款内存产品。

SK 海力士的 HBM4 技术现已可堆叠至 16 层；预计将于 2025 年下半年实现量产

在市场上的 HBM 制造商中，SK 海力士似乎遥遥领先于其他所有厂商，尤其是在其 HBM4 技术方面。据称，该公司已准备好该工艺的商用版本，而像美光和三星这样的竞争对手仍处于样品阶段，这表明至少目前 SK 海力士在这场竞赛中处于领先地位。在台积电的北美技术研讨会上，该公司展示了其所谓的“AI 内存”领导地位，推出了之前讨论过的几款新产品。

首先，SK 海力士向公众展示了其 HBM4 工艺，并简要介绍了规格。因此，我们看到的 HBM4 容量高达 48GB，带宽为 2.0TB/s，I/O 速度为 8.0Gbps。SK 海力士宣布，他们计划在 2025 年下半年实现量产，这意味着该工艺最早可能在今年年底就应用于产品中，这令人惊叹。值得注意的是，这家韩国巨头是唯一一家向公众展示 HBM4 的公司。

除了 HBM4，我们还看到了 SK 海力士推出的 16 层 HBM3E，这也是同类产品中的首款，带宽高达 1.2TB/s，还有更多特性。据说这一标准将与英伟达的 GB300“Blackwell Ultra”AI 集群集成，因为英伟达计划在 Vera Rubin 上过渡到 HBM4。有趣的是，SK 海力士声称他们通过先进的 MR-MUF 和 TSV 技术成功连接了这么多层，我们可能正在见证这些技术的先驱。

除了 HBM，SK 海力士还展示了其服务器内存模块产品线，尤其是 RDIMM 和 MRDIMM 产品。基于更新的 1c DRAM 标准，高性能服务器模块如今已实现高达 12500MB/s 的速度，这实在令人惊叹。

值得注意的是，SK 海力士展示了多款旨在提升人工智能和数据中心性能同时降低功耗的模块。其中包括速度为每秒 12.8 吉比特（Gbps）、容量分别为 64GB、96GB 和 256GB 的 MRDIMM 系列；速度为每秒 8 吉比特、容量分别为 64GB 和 96GB 的 RDIMM 模块；以及容量为 256GB 的 3DS RDIMM。

毫无疑问，SK 海力士目前在 HBM 和 DRAM 市场占据优势，主要通过推动创新以及与英伟达等公司合作，击败了三星等老牌企业。