功率MOSFET应用的边边角角-模拟/数字

注意1：MOSFET无反向阻断能力。注意2：转移特性中，电流低时，同样的Ugs下，Id具有正温度系数。而大电流时，Id具有负温度系数【热稳定性的原因】。注意3：速度限制：ton受限于Cgs+Cgd;toff受限于Cds；注意4：耐压越高的MOS通态电阻越大，通态压降越大，最大输出功率越小。注意5：通态电阻具有正温度系数【热稳定性】注意6：Id=1mA时的Ugs为开启电压，负温度系数。温度越高，越容易开启。南方的MOS更易开启。注意7：同一MOS，南方比北方更不易高压击穿。耐压值正温度系数。注意8：最大可耗散功率Pm=（Tjmax-Ta）/Rjc；环温越低，可耗散功率越大。注意9：最大Id=sqrt（Pm/Ron）；但这个值仅供参考，只要不超结温，超多少都行。如上8、和9，其实就是对结温的限制。你能改变的只能是环温（加三人）、热阻（热传导效率）、功率（减小功率）MOS高速开关应用驱动设计字诀：1、驱动要陡峭，否则有管耗。2、驱动要低阻，否则没速度。3、驱动有电流，因为有电容。