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关于晶体管、场效应管逆向使用问题(一)-模拟/数字

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发表于 2013-7-30 19:32:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中,基极(B)被偏置为正,集电极(C)被偏置为负,由发射极(E)流向C的时逆电流。1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的。2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。 也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。(1)hFE低。(顺向10%以下)(2)耐压低。(7 to 8V 与VEBO一样低)←通用TR的情况,除此之外,还有5V以下(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)(3)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化。
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