先进制程良率一直无法提升，三星可能放弃 1.4 奈米制程(Technews)

国际新闻网站PhoneArena报道，三星在晶圆代工领域遭遇了多年的良率挑战。到2024年，3纳米制程的低良率问题导致Exynos 2500应用处理器（AP）的生产受阻，进而影响了三星对其旗舰Galaxy S25系列的策略调整。结果是，三星决定所有型号的Galaxy S25系列都将配备高通Snapdragon 8 Elite芯片，以解决供应不足的问题。原本的规划是只有在美国、加拿大和中国市场销售的Galaxy S25 Ultra、Galaxy S25和Galaxy S25+使用高通的系统单晶片（SoC），而其他型号则搭载Exynos 2500芯片。据悉，2025年Exynos 2600处理器将采用三星晶圆代工的2纳米制程。三星在晶圆代工市场的份额仅为8.2%，远远落后于台积电的67.1%。值得注意的是，即便英特尔开始涉足晶圆代工业务，仍需将部分生产外包给台积电。通常，芯片中的晶体管数量越多，性能越强，能源效率也越高，而制程的缩小意味着晶体管更小，从而增加了晶体管数量和密度。虽然苹果未公开晶体管数量，但据传超过了200亿个，这凸显了先进制程在提升芯片性能和效率方面的重要性。三星晶圆代工仍在挣扎于良率问题，如果不能提高良率，三星可能会放弃先进制程，转而专注于特定的成熟制程。这意味着三星的旗舰和折叠手机可能不得不继续使用高通芯片，这会影响手机的成本。自家芯片的成本效益显然高于高通等外部芯片。三星在追求先进制程的过程中显然遇到了重大障碍，良率问题不仅影响了3纳米和2纳米制程，还可能迫使公司重新考虑技术方向，包括是否放弃1.4纳米制程。与台积电相比，三星晶圆代工在技术和客户基础上都有明显差距，如果不能有效克服良率挑战，三星晶圆代工的发展将面临严峻考验，进而对三星手机业务产生连锁反应，影响产品的竞争力。三星晶圆代工能否提高先进制程的良率，将是决定其在半导体产业中地位的关键。