介质薄膜沉积：PECVD和LPCVD

在现代半导体制造、光学镀膜和微机电系统（MEMS）等领域，介质薄膜（如二氧化硅 SiO₂、氮化硅 Si₃N₄）的沉积技术至关重要。其中，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和低压化学气相沉积（LPCVD）是两种最常用的方法。它们各有优势，适用于不同的应用场景。

01 介质沉积：PECVD

PECVD利用等离子体（电离气体）在较低温度下（通常200–400°C）分解前驱体气体，使其在衬底表面发生化学反应并沉积成膜。等离子体中的高能粒子可以促进薄膜的生长，但同时也可能引入额外的缺陷。PECVD沉积的Si₃N₄薄膜通常具有较低的密度和较高的孔隙率，这使得其应力水平相对较低。

低温沉积：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的工作温度范围为100°C至400°C，适用于对温度敏感的材料，如塑料、柔性电子器件和有机基底。

多功能性：能够沉积多种材料，包括二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）、类金刚石碳（DLC）等，满足不同领域应用的需求。

高沉积速率：等离子体增强反应速率提高了生产效率，适合大规模工业生产。

02 介质沉积：LPCVD

LPCVD在低压（0.1–1 Torr）和较高温度（500–800°C）下进行，通过热分解或化学反应在衬底表面沉积薄膜。由于高温下原子和分子的扩散能力较强，薄膜的生长结构较为均匀和致密，但可能会因为冷却过程中的热收缩而产生较高的应力。

高质量薄膜：LPCVD（低压化学气相沉积）能够沉积出具有极高均匀性和密度的薄膜，缺陷少且应力低，适用于对精度和可靠性要求极高的应用。

广泛的材料适用性：能够沉积多种关键材料，如二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）和多晶硅（Poly-Si），满足各种复杂工艺需求。

高温沉积：LPCVD适用于耐高温基底，为在高温环境下运行的电子产品提供卓越的薄膜质量。

LPCVD通过高温环境驱动化学反应，适用于耐高温基底和高性能应用，而PECVD则利用等离子体在低温下增强化学反应，适用于对温度敏感的基底和多种多功能应用。这种差异使得每种工艺都可以被用于特定的应用中，以满足不同的制造需求。