N沟道MOS管的结构及工作原理

显示全部楼层 · 2014-11-14 15:58:24

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SI2301

SI2301是二三级管的一种，属于场效应管。

主要参数：

晶体管类型： P沟道MOSFET 　　

最大功耗PD ： 1.25W 　　

栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值） 　　

漏源电压VDS ：－20V（极限值） 　　

漏极电流ID：－2.3A 　　

通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值） 　　

栅极漏电流IGSS：±100nA 　　

结温：55℃to+150℃ 　　

封装：SOT-23(TO-236)

WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS

daywznc · 2014-11-14 16:53:10

水贴一枚

lianclei · 2014-11-22 18:42:05

大水帖啊