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LPDDR4将步入旗舰手机

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发表于 2014-12-13 22:21:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
在智能手机严重同质化的今天,每一项新技术的出现都让人们有所期待,从64位到八核,国内外芯片设计厂商都在想方设法快速跟进,生怕错过了又一个新市场。在64位和八核均晚于友商的高通,在全新旗舰64位八核骁龙810处理器上,它首次支持了双通道LPDDR4,内存带宽提升了一倍达到25.6Gps,功耗有所下降。

在主流旗舰机均为2K屏幕的今天,对于内存带宽的提高是相当必要的,更何况骁龙810支持4K屏幕,坚信4K UHD将成为2015年旗舰高端手机的选择。

LPDDR4是JEDEC固态技术协会在今年8月正式发布的新一代低功耗内存标准,主要面向智能手机、平板机、超薄笔记本等移动类设备。它的两个最大的特点是提升频率、性能和吞吐能力的同时降低了功耗。频率最高可达4266MHz,是LPDDR3的两倍。为了达到如此高的频率,LPDDR4的架构经过了重新设计,从单通道Die、每通道16bit进化到了双通道Die、每通道16bit,也就是总位宽翻番至32bit。双通道的设计大大减少了数据信号从内存阵列到I/O接口的传输距离,直接降低了功耗,允许时钟、地址总线和数据总线组合在一起。

在功耗表现上,LPDDR4的运行电压从上代的1.2V降低至1.1V,并特别设计了在超大频率范围内高效率进行,信号电压为367mV或者440mW,降低了功耗。JEDEC JC-42.6工作委员会主席Hung Vuong表示:“LPDDR3只是在LPDDR2基础上的一次进化,LPDDR4的架构则是完全不同的。”截止于目前,三星、海力士、美光先后推出了LPDDR4内存产品。

韩国媒体Business Korea消息近日指出,高通骁龙810在研发中出现问题恐怕会延误交货。Tom's Hardware指出,810 处理器过热可能因为高通将Cortex A57的频率提升过多,RAM问题或许跟首次支持LPDDR4内存有关。高通官方发言人今(9)日表示:“我们不会你所提及的任何谣传或者推测进行评论,但是我们可以告诉大家的是高通骁龙810正按照既定的目标发售,我们期望能够在2015年上半年看到搭载该芯片的商业产品。”

相信随着高通骁龙810的批量出货,必将带动一大批旗舰型智能手机采用最新的LPDDR4内存。外媒phones review透露,Galaxy Note 5将搭载2.8GHz的骁龙处理器810,5.9英寸的4K分辨率Super AMOLED显示屏,3GB的LPDDR4 RAM,存储空间为128GB,前置800万后置2100万像素的摄像头,支持OIS和4K视频拍摄。

DRAMeXchange 11月30日报告预估,明年 LPDDR4 在移动 DRAM 市场的市占率将增至14%。2015 年移动设备的主流移动内存虽为 LPDDR3,但是 LPDDR4 将成旗舰智能手机的首选规格。DRAMeXchange 称,三星将增加 LPDDR4 供给,今年第四季 LPDDR4 仅占三星移动 DRAM 供货的 1%,明年 Q4 将增至 30%。SK 海力士供给也会从今年 Q4 的 1%,明年 Q4 增至 18%。另外美光明年 Q1 量产 LPDDR4,预计明年 Q4 供货将增至占整体移动 DRAM 的 25%。

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发表于 2014-12-13 22:50:14 | 显示全部楼层
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