Power Integrations宣布旗下适用于SiCMOSFET的SCALE－iDriver现已通过

似水流年

Power Integrations宣布旗下适用于SiCMOSFET的SCALE－iDriver现已通过AEC－Q100汽车级认证

外形紧凑、坚固耐用的隔离型SiCMOSFET驱动器集成了有源钳位并且短路关断时间<2µs

深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布，其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求，并具有先进的安全和保护特性。

                               
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SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可驱动汽车应用中的SiC MOSFET，新产品具有轨到轨输出、快速门极开关速度、支持正负输出电压的单极供电电压、集成的功率和电压管理以及加强绝缘。重要安全特性包括漏源极(V[sub]DS[/sub])监测、电流检测读出、原方和副方欠压保护(UVLO)、限流门极驱动以及可确保在故障情况下安全工作和软关断的高级有源钳位(AAC)。AAC与V[sub]DS[/sub]监控相结合，可确保在短路情况下的安全关断时间少于2µs。门极驱动控制和AAC特性可使门极电阻最小化，这有助于降低开关损耗，提高逆变器效率。

新器件将SCALE-iDriver的控制和安全特性与其高速FluxLink™通信技术的完美结合，与使用光耦器或电容性耦合器或磁性耦合器相比，Power Integrations为门极驱动器IC技术带来了革命性变化。这种组合极大地提高了绝缘能力，并且使用极少的外部器件即可实现安全可靠、高性价比的300kW以下逆变器设计。

Power Integrations汽车门极驱动器产品高级市场总监Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技术打开了通向更轻便小巧的汽车逆变器系统的大门。开关速度和工作频率不断提高；我们的低门极电阻值可用来维持高开关效率，而我们的快速短路响应可在发生故障时为系统提供及时保护。”

“此外，SCALE-iDriver在绝缘强度方面为功能安全树立了新标准；即使功率器件导致了严重的驱动器故障，SCALE-iDriver的绝缘性能仍然完好无损，从而确保机箱的任何部分都不会有威胁生命的高压存在。”Hornkamp补充道。

新的单通道SIC118xKQ门极驱动器可提供高达8A的输出电流，并且适合标准门极-发射极电压最低为+15V，负电压范围介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有较强的外部磁场抗扰性能，采用紧凑的eSOP封装，可提供≥9.5mm的爬电距离和电气间隙，并且所采用的材料达到了最高CTI级（根据IEC 60112标准，CTI = 600）。新器件现已开始供货，以10,000片为单位订货，单价为5.39美元。

chen