全球“芯”增两款储存案例

yunger

2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布成功研发两款128层产品，分别是128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）、128层512Gb TLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060）并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证,长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量，在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking®2.0还为3D NAND外围电路和存储单元可堆叠，带来极佳的扩展性。