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核心观点:1. 功率半导体受益于下游新兴领域快速发展,未来增量空间明显。中国是全球最大的功率半导体消费市场,未来有望保持高速发展,预计年复合增速达 4.8%。从增量来源来看,5G、光伏智能电网、新能源汽车等是主要的增量来源。未来功率半导体将呈现高性能,高增长,高集中度的发展趋势:1)下游新兴行业增量显著:下游以汽车电子为代表的新兴应用增速进一步加快,假设 2025 年新能源汽车市场规模达到 150 亿元,按照汽车电子化率30%测算,新能源汽车中的电子元器件增量为 50 亿元;2)自给率仍然偏低,替代空间巨大,目前自给率不足20%,假设自给率提升到 50%,国内至少仍有 50 亿美元的市场空间增量;3)未来集中度会进一步提升,产品碎片化将有所改善:由于产品种类繁多,总体较为碎片化,但部分高端产品如 IGBT、MOSFET 技术壁垒提升,下游对高端产品的依赖度会随之增加,细分领域集中度提升是必然趋势。2. 第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石。第三代半导体材料众多战略行业可以降低 50%以上的能量损失,最高可以使装备体积减小 75%以上,是半导体产业进一步跃进的基石。先进半导体材料已上升至国家战略层面,2025 年目标渗透率超过 50%。底层材料与技术是半导体发展的基础科学,在 2025 中国制造中,对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块等细分领域做出了目标规划。在任务目标中提到 2025 实现在 5G 通信、高效能源管理中的国产化率达到 50%;在新能源汽车、消费电子中实现规模应用,在通用照明市场渗透率达到 80%以上。3. 新基建与消费电子将明显提升第三代半导体材料需求空间。新基建视角下:5G 通信中含有 GaN 的基站 PA 有望实现爆发式增长。目前我国 5G 宏基站使用的 PA(PowerAmplifier,功率放大器)数量在 2019 年达到 1843.2 万个,2020 年有望达到 7372.8 万个,相对于去年增长近 4倍。预计今年,基于 GaN 工艺的基站 PA 占比将由去年的 50%达到 58%。消费电子中:OPPO、小米等国内主流厂商依次跟进,高功率,小体积成最明显优势;汽车电子化程度上升直接带动汽车产业链价值迁移,国内市场有望超千亿规模。4. 风险提示。研发进度不及预期,成本控制不及预期。 |
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