模电基础知识总结

leslie_aqiang · 发表于 2021-1-14 09:02:20

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一.
半导体的基础知识
1.半导体
---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
(如硅
Si、锗
Ge)。
2.
特性---
光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体
----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.
两种载流子 ----
带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体
----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P
型半导体:
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）
。
*N型半导体
: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是
空穴）。
6.
杂质半导体的特性
*
载流子的浓度---
多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*
体电阻---
通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*
转型---
通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN
结
* PN结的接触电位差
---硅材料约为
0.6~0.8V，锗材料约为
0.2~0.3V。
* PN
结的单向导电性---
正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性

二.
半导体二极管
*单向导电性
------正向导通，反向截止。
*
二极管伏安特性----
同ＰＮ结。
*正向导通压降
------硅管
0.6~0.7V，锗管
0.2~0.3V。
*
死区电压------
硅管0.5V
，锗管0.1V
。
3.分析方法
------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低
:
若 V
阳 >V
阴(
正偏 )
，二极管导通(
短路);
若
V阳
<V阴
( 反偏
)，二极管截止
(开路
)。
1
）图解分析法

该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q
。