SK海力士280亿封装厂建设正式启动

SK海力士在美国建设先进封装生产设施的计划预计将加快。这是因为印第安纳州西拉斐特市最终批准了SK海力士提交的土地变更申请。

5月6日（当地时间），西拉法叶市议会以6票赞成、3票反对的结果，通过了SK海力士提交的土地用途变更提案。由此，总投资38.7亿美元（279.6772亿元人民币）的半导体生产设施建设正式启动。

SK海力士去年4月宣布计划在普渡大学子公司普渡研究中心拥有的土地上建造一个新的半导体生产设施。最初计划的地点是“地点 A”，位于 Jaeger 路以北，靠近 Calvere 路，但 SK Hynix 要求改为“地点 B”，位于 Salisbury 街和 Calvere 路的交通便利的交叉口。然而，由于该地点靠近附近的住宅区，遭到了居民的强烈反对。居民在公开听证会上表达了强烈反对，他们担心化学品泄漏的风险、卡车运输量的增加以及生活条件的恶化。

SK海力士不断与当地社区沟通，强调B区是工厂运营的最佳地点，并将对当地经济产生积极影响。大拉斐特社区 (GLC) 董事会主席 Rachel Hazari 表示：“如此规模的交易自然会引发疑问，但它也提供了重要的见解。” “SK海力士的投资为我们向兼具全球影响力和本土根基的尖端经济转型奠定了基础。”

印第安纳州西拉斐特是 SK 海力士计划建设先进封装生产设施和 AI 内存研发中心（包括高带宽内存 (HBM)）的关键地点。为此，SK海力士正在与普渡大学等当地研究机构合作。此外，还决定从美国政府获得最高4.58亿美元（约6720亿韩元）的无偿援助和5亿美元（约7336亿韩元）的贷款。未来，当地工厂预计将经历如下顺序：▲今年上半年完成设计并获批许可证▲今年下半年进行基础设施建设并破土动工▲2026-2027年进行厂房建设和设备安装▲2027-2028年进行设备测试和调试▲2028年下半年实现量产并正式运营。

SK海力士正在印第安纳州建设一座最先进的工厂，并计划从2028年下半年开始量产下一代HBM和其他AI内存产品。该公司还表示，希望依托当地的生产基地和研发设施，创造1000多个当地就业岗位。这与HBM的成长不无关系。根据 TrendForce 的数据，SK 海力士去年的 HBM 市场份额为 52.5%，其次是三星电子的 42.4% 和美光的 5.1%。