三星发飙：28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

nikola

前两天，快科技曾报道，华人科学家胡正明教授刚刚被美国总统奥巴马授予2015年全美最高技术奖。
作为半导体业界的翘楚，他在采访中谈到，在25nm看到尽头时美国政府曾向业界征集方案，胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI（FD-SOI），前者我们很熟悉，后者的中文名称是“全耗尽绝缘硅”。
从技术上比较简单的区分就是，FinFET是立体型晶体管，而FD-SOI仍是平面型。
虽然1Xnm已经进入消费领域，但是20nm远没有要到退出市场的地步，还有大量的产品需求。
据外媒报道，三星LSI业务总监Kelvin Low称，他们和意法半导体合研的28nm FD-SOI已经开始投产，法国半导体公司Soitec SA提供SOI基底材料。
FD-SOI最大的亮点在于超低功耗，尤其是对比HKMG（后闸极，约50%+），如今物联网（IoT）、汽车等嵌入开发对芯片的这一特性非常敏感，ST、飞思卡尔等都明确表态支持且等待排片。
当然，值得一提的是三星的“好基友”GlobalFoundries，他们在7月份全球首发了22nm FD-SOI，电压做到了业界最低的0.4V，领先三星一年。
GF现在境遇不佳，屡屡被传出收购，如果明年22nm FD-SOI供货不理想，三星很有可能直接发怒当“接盘侠”。