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[IC] K9F4G08U0A 512M x 8 Bit  1G x 8 Bit NAND Flash Memory

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发表于 2016-6-5 07:52:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
K9F4G08U0A 512M x 8 Bit  1G x 8 Bit NAND Flash Memory


FEATURES
Voltage Supply
- 2.70V ~ 3.60V
Organization
- Memory Cell Array : (512M + 16M) x 8bit
- Data Register : (2K + 64) x 8bit
Automatic Program and Erase
- Page Program : (2K + 64)Byte
- Block Erase : (128K + 4K)Byte
Page Read Operation
- Page Size : (2K + 64)Byte
- Random Read : 25µs(Max.)
- Serial Access : 25ns(Min.)


Fast Write Cycle Time
- Page Program time : 200
µs(Typ.)
- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
Hardware Data Protection
- Program/Erase Lockout During Power Transitions
Reliable CMOS Floating-Gate Technology
-Endurance : 100K Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte
ECC)
- Data Retention : 10 Years
Command Driven Operation
Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC
Unique ID for Copyright Protection
• Package :
- K9F4G08U0A-PCB0/PIB0
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)
- K9F4G08U0A-ICB0/IIB0
52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch)
- K9K8G08U1A-ICB0/IIB0
52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch)




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